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九域半導體科技(蘇州)有限公司
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  • 外延片電阻率方阻測試儀

    外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中,硅片最底層是P型襯底硅(有的加點埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延層;再后來在外延層上注...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:32:18 對比
    外延片電阻率外延電阻率方阻渦流法半導體
  • 氧化鎵電阻率方阻測試儀

    氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:23:12 對比
    氧化鎵電阻率渦流法晶圓缺陷方阻
  • 碳化硅電阻率方阻測試儀

    1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關,還和導體的溫度有關。在溫度變化不大的范圍內:幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化,即ρ=ρ0(1+at)。式中t是攝氏溫度,ρ...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:20:00 對比
    碳化硅電阻率渦流法方阻四探針
  • 晶圓電阻率測試儀

    電阻率(resistivity)是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下,有公式R=ρl/S,其中ρ就是電阻率,l為材料的長度,S為面積??梢钥闯?..

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:17:49 對比
    晶圓電阻率晶圓缺陷渦流法方阻
  • 硅片電阻率測試儀

    電阻率(resistivity)是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下,有公式R=ρl/S,其中ρ就是電阻率,l為材料的長度,S為面積??梢钥闯?..

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:16:12 對比
    硅片電阻率渦流法方阻半導體
  • 無損電阻率測試儀

    非接觸式單點薄層電阻測量系統。該裝置包含一個渦流傳感器組,感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:14:41 對比
    電阻率晶圓缺陷無損方阻渦流法
  • 晶錠渦流法電阻率測試儀

    電阻率是用來表示各種物質電阻特性的物理量。某種物質所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質的電阻率。電阻率與導體的...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:05:04 對比
    晶錠渦流法電阻率非接觸無損方阻
  • 全自動非接觸電阻率方阻測試儀

    渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應原理進行檢測的方法。當載有交變電流的試驗線圈靠近導體工件時,會產生交變磁場,進而在工件中感生出密閉的環狀電流,即渦流。渦流的...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:48:42 對比
    全自動電阻率方阻渦流法方阻非接觸電阻率渦流法電阻率非接觸方阻
  • 非接觸電阻率測試儀

    設備主要利用渦電流測試原理,非接觸測試半導體材料,石墨烯,透明導電膜,碳納米管,金屬等材料的方阻(電阻率)??蓪崿F單點測試,亦可以實現面掃描的測試功能,可用于材...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:46:41 對比
    渦流法電阻率非接觸電阻率渦流法方阻非接觸方阻無損電阻率無損方阻
  • 渦流法電阻率測試儀

    渦流法電阻率測試儀

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:40:22 對比
    晶圓方阻硅片電阻率遷移率測試儀渦流法電阻率測試儀少子壽命測試儀

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